声明
第一章 绪论
1.1 引言
1.2 非易失性存储器简介
1.3 纳米晶电俘获存储器研究进展
1.4 论文的选题与研究方案
第二章 纳米晶电俘获存储器件的制备工艺及性能表征手段
2.1 纳米晶电俘获存储器件的薄膜制备工艺
2.1.1 脉冲激光沉积系统
2.1.2 电子束蒸发沉积系统
2.1.3 脉冲激光沉积用陶瓷靶材的制备
2.1.4 快速热退火系统
2.2.1 高分辨透射电子显微镜
2.2.2 X射线衍射分析
2.2.3 X射线光电子谱
2.3 器件电学性能测试
第三章 伪二元氧化物纳米晶电俘获存储器件的结构及材料研究
3.1 电俘获存储器件的研究
3.2 伪二元氧化物纳米晶电俘获存储器件的结构和特点
3.3 器件各层的材料选择
3.3.1 器件隧穿层与阻挡层的研究
3.3.2 器件俘获层的研究
3.4 写入与擦除机制
3.5 器件的制备
3.5.1 (HfO2)0.4(ZrO2)0.6俘获层器件
3.5.2 (Bi2O3)0.4(ZrO2)0.6俘获层器件
3.6 本章小结
第四章 BZO纳米晶电俘获存储器的存储性能研究
4.1 BZO纳米晶电俘获存储器的电学性能研究
4.2 BZO纳米晶电俘获存储器的数据保持特性表征
4.3 BZO薄膜的XRD结果分析
4.4 BZO纳米晶电俘获存储器的微观结构表征
4.6 BZO纳米晶电俘获存储器的XPS图谱分析
4.7 本章小结
第五章 结论
5.1 全文总结
5.2 后续工作展望
致谢
参考文献
攻硕期间取得的研究成果