基于Si3N4包覆金属氧化物纳米晶的电荷存储器件的制备方法

摘要

本发明公开了一种基于Si3N4包覆金属氧化物纳米晶的电荷存储器件的制备方法，通过脉冲激光沉积在SiO2隧穿层表面先顺序沉积Si3N4和金属M薄膜，而后原位氧气退火，使金属M充分氧化为M2O3纳米晶，紧接着沉积Si3N4薄膜，形成Si3N4包覆金属氧化物纳米晶的存储层，再顺序沉积SiO2阻挡层和Al电极，形成基于Si3N4包覆金属氧化物纳米晶的电荷存储器件，其中M可在Fe和La中任选一种。