第一章 绪论
§1.1 功率半导体器件发展简介
§1.2 IGBT器件的发展概述
§1.3 国内外现状
§1.4 本课题的研究意义
§1.5 本文的主要研究工作
第二章 IGBT的基础理论
§2.1 IGBT的基本结构
§2.2 IGBT的基本工作原理
§2.3 IGBT的静态特性
§2.3.1 IGBT的输出特性与正向导通压降
§2.3.2 IGBT的转移特性与阈值电压
§2.3.3 IGBT的阻断特性与击穿电压
§2.4 IGBT的动态特性
§2.4.1 IGBT的开启过程
§2.4.2 IGBT的关断过程
§2.5 IGBT的安全工作区
§2.5.1 正偏安全工作区(FBSOA)
§2.5.2 反偏安全工作区(RBSOA)
§2.5.3 短路安全工作区(SCSOA)
§2.6 本章小结
第三章1200V NPT-IGBT的设计
§3.1 有源区设计及其仿真
§3.1.1 正向击穿电压与漂移区的设计
§3.1.2 阈值电压与P-base区的设计
§3.1.3 正向导通压降与P+集电区的设计
§3.1.4 正向导通压降与关断损耗的折衷设计
§3.2 终端区设计及其仿真
§3.2.1 终端结构的原理与分析
§3.2.2 场板场限环复合终端结构的设计与仿真
§3.3工艺流程整合与版图方案设计
§3.3.1 工艺流程整合
§3.3.2 版图方案设计
§3.4 本章小结
第四章1200V NPT-IGBT的测试与分析
§4.1 IGBT的反向分析与结构对比
§4.2 静态参数的测试与分析
§4.2.1 击穿电压的测试与分析
§4.2.2 阈值电压的测试与分析
§4.2.3 正向导通压降的测试与分析
§4.3 动态参数的测试与分析
§4.3.1 开关特性的测试与分析
§4.3.2 抗短路能力测试与分析
§4.4 本章小结
第五章 结论与展望
§5.1 结论
§5.2 展望
参考文献
致谢
硕士研究生期间所取得的研究成果
