摘要
1 绪论
1.1 PECVD技术研究现状及发展
1.2 国内外薄膜损伤特性研究现状
1.2.1 国内薄膜损伤特性研究现状
1.2.2 国外薄膜损伤特性研究现状
1.3 课题研究的目的和意义
1.4 主要研究工作
1.4.1 课题研究的内容
1.4.2 研究技术路线
1.4.3 研究方案
1.4.4 试验条件
1.4.5 预期达到的目标
2 光学薄膜特性理论基础
2.1 薄膜的特性计算
2.2 陷波滤光片的特性计算
3 PECVD技术制备单层光学薄膜损伤特性研究
3.1 单层SiOxFy薄膜损伤特性研究
3.1.1 单层SiOxFy薄膜制各与测试
3.1.2 单层SiOxFy薄膜损伤测试结果与分析
3.1.3 单层SiOxFy薄膜电场强度分析
3.2 单层SiO2薄膜损伤特性研究
3.2.1 单层SiO2薄膜制备与测试
3.2.2 单层SiO2薄膜损伤测试结果分析
3.2.3 单层SiO2薄膜损伤形貌图
3.2.4 单层SiO2薄膜电场分布分析
3.3 单层SiOxNy薄膜损伤特性研究
3.3.1 单层SiOxNy薄膜制备与测试
3.3.2 单层SiOxNy薄膜损伤测试结果分析
3.3.3 单层SiOxNy薄膜损伤形貌图
3.3.4 单层SiOxNy薄膜电场分布分析
3.4 单层SiNx薄膜损伤特性研究
3.4.1 单层SiNx薄膜制备与测试
3.4.2 单层SiNx薄膜损伤测试结果分析
3.4.3 单层SiNx薄膜损伤形貌图
3.4.4 单层SiNx薄膜电场分布分析
3.5 单层(SiOxFy、SiO2、SiOxNy、SiNx)薄膜抗激光损伤特性比较
3.6 光学薄膜抗激光损伤特性与制备工艺参数关系研究实验
3.6.1 低折射率SiOxFy光学薄膜正交试验与数据分析
3.6.2 中间折射率SiOxNy光学薄膜正交试验与数据分析
3.6.3 高折射率SiNx光学薄膜正交试验与数据分析
3.7 小结
4 1064nm陷波滤光片膜系设计
4.1 设计技术指标
4.2 薄膜材料选取
4.3 主要参数估算
4.3.1 反射带反射率
4.3.2 反射带波长宽度估算
4.4 膜系设计
4.4.1 规整膜系设计滤光片
4.4.2 Rugate法设计滤光片
4.4.3 傅里叶变换法设计滤光片
4.4.4 混合渐变膜系设计滤光片
5 1064nm陷波滤光片的制备及测试分析
5.1 镀制前期工作
5.1.1 SiO2薄膜材料沉积速率和重复性实验研究
5.1.2 SiOxNy薄膜材料沉积速率和重复性实验研究
5.1.3 SiNx薄膜材料沉积速率和重复性实验研究
5.1.4 渐变折射率SiOxNy薄膜材料实验研究
5.2 镀制工艺流程
5.3 规整膜系的镀制
5.3.1 工艺参数设置
5.3.2 薄膜测试结果与分析
5.4 混合渐变膜系的镀制
5.4.1 工艺参数设置
5.4.2 薄膜测试结果
5.5 1064nm陷波滤光片抗激光损伤阈值测试结果与电场分析
5.6 1064nm陷波滤光片环境试验
5.7 小结
6 结论
6.1 结论
6.2 展望
参考文献
攻读硕士学位期间发表的论文
致谢
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