摘要
1绪论
1．1引言
1．2 CdTe基化合物晶体的基本性质
1．2．1 CdTe、CdZnTe和CdTeSe的元素组成与晶体结构
1．2．2 CdTe基化合物的能带及禁带宽度
1．3 CdTe基化合物晶体的制备方法
1．3．1布里奇曼法
1．3．2移动加热器法
1．3．3垂直梯度冷却法
1．3．4 Te溶剂法
1．3．5气相运输法
1．3．6外延生长技术
1．3．7晶体生长的主要困难
1．4 CdTe基化合物晶体的掺杂研究
1．4．1掺杂元素选择
1．4．2掺杂量的估算及引入的能级
1．5半导体核辐射探测器的工作原理及选材依据
1．5．1半导体核辐射探测器的工作原理
1．5．2半导体核辐射探测器的选材依据
1．5．3 CdTe基化合物晶体用作核辐射探测器的适用性
1．6选题的背景及意义
1．7本文的研究思路及内容
2实验过程
2．1晶体生长工艺设计
2．1．1晶体生长方法
2．1．2 CdTe晶体原料配比
2．1．3 CdTeSe晶体原料配比
2．1．4合成控制
2．1．5生长参数
2．1．6生长设备
2．3测试分析方法
2．3．1 X射线衍射分析
2．3．2扫描电子显微镜分析
2．3．3红外透过光谱测试
2．3．4紫外-可见-近红外光谱测试
2．3．5 Te夹杂相测试
2．3．6光致发光测试
2．3．7 I-V测试
2．3．8Hall测试
2．3．9TOF测试
3 CdTe与CdTeSe晶体的合成与生长
3．1 CdTe与CdTeSe晶体的合成
3．1．1坩埚的选用及处理
3．1．2 CdTe与CdTeSe具体合料工艺过程
3．1．3合成后坩埚内壁的碳膜分布
3．2 CdTe与CdTeSe晶体生长
3．2．1晶体生长炉温场分布
3．2．2温度梯度
3．2．3过热度及时间
3．2．4原位退火
3．2．5生长温度控制
3．2．6晶体处理
3．3 CdTe与CdTeSe晶体质量分析
3．3．1晶体宏观形貌
3．3．2晶体结构分析
3．3．3晶体中的Te夹杂相
3．4小结
4 CdTe、CdZnTe和CdTeSe晶体的光学性能
4．1紫外-可见-近红外光谱
4．2红外光吸收特性
4．3光致发光特性
4．4小结
5 CdTe、CdZnTe和CdTeSe晶体的电学性能
5．1 I-V特性分析
5．2 I-t特性分析
5．3 Hall特性分析
5．4 TOF特性分析
5．5小结
6结论
参考文献
攻读硕士学位期间发表的论文
致谢
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