温度梯度对核辐射探测器用PbI2晶体生长影响研究

摘要

以多晶碘化铅(PbI2)为原料,采用垂直布里奇曼法进行单晶生长,研究了PbI2单晶的生长特性,并研究了不同生长条件下晶体的宏观形貌、显微形貌、缺陷以及I-V特性.研究表明在温度梯度为5K/cm时生长的碘化铅与温度梯度为1K/cm生长的单晶相比,晶体质量较高,宏观缺陷和显微缺陷均有所减少,电阻率从生长态的6.8×108Ωcm提高至3.3×109Ωcm,可以有效提高晶体的探测效率.优化生长时的温度梯度有利于碘化铅单晶质量的提高,使其各项性能更加适用于室温核辐射探测器.