深亚微米集成电路结构/工艺及相关微分析技术研究

摘要

论文针对光显微技术、扫描电子显微技术、俄歇电子能谱技术、二次离子质谱技术等组份分析手段,X射线能谱技术、聚焦离子束技术、二次离子质谱技术等组份分析手段,深 入研究了它们的工作机理、它们在深亚微米集成电路微分析中的应用以及各自的优势与不足,研究了综合运用这些分析手段进行深亚微米集成电路产品分析的方法.论文研究了聚焦离子束技术作为亚微米尺寸微细加工手段在扫描电镜、透射电镜定位制样物集成电路设计样片修补中的重要应用,研究了湿法腐蚀与干法刻蚀相结合对深亚微米集成电路进行剥层处理和化学修饰的方法,取得了良好的深亚微米尺寸观察效果.论文运用前述深亚微米微分析技术,解剖一些有代表性的深亚微米集成电路产品,研究了化学机械抛光平坦化、多层金属互连等后端结构/工艺和DRAM单元、EEPROM单元、闪速存储器单元、轻掺杂漏区等前端的结构/工艺的整体结构/工艺情况和关键细节,并就一些工艺结构从理论上进行了探讨.

目录

文摘

英文文摘

Part Ⅰ序言

1.1微电子产业发展现状

1.2微分析技术在集成电路制造过程中的重要作用

1.3微分析技术在集成电路工艺开发中的重要作用

1.4本文的任务

Part Ⅱ深亚微米集成电路微分析技术研究

2.1集成电路微分析技术概述

2.2深亚微米集成电路微分析技术

2.2.1结构分析技术

2.2.2组份分析技术

2.2.3制样技术

2.3深亚微米集成电路综合分析

Part Ⅲ深亚微米集成电路结构/工艺研究

3.1深亚微米集成电路后端结构/工艺研究

3.1.1化学机械抛光平坦化工艺

3.1.2多层金属互连结构/工艺

3.2深亚微米集成电路前端结构/工艺研究

3.2.1 DRAM单元结构/工艺

3.2.2 EEPROM单元结构/工艺

3.2.3 Flash EEPROM单元结构/工艺

3.2.4轻掺杂工艺

Part Ⅳ总结

致谢

参考文献