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论文说明:首字母缩写索引
第一章高介电常数栅介质原子层气相淀积的研究进展
第二章基础理论
第三章HfO2和Al2O3混合原子层淀积反应机理
第四章HfO2在Ge(100)-2×1表面原子层淀积的反应机理研究
第五章HfO2在Si(100)-2×1表面原子层淀积的反应机理研究
全文总结
博士后期间完成的工作
个人简历
致谢
任杰;
复旦大学;
密度泛函; 氧化铪; 氧化铝; 反应机理; 原子层气相淀积; 栅介质;
机译:Ge(100)-2 x 1:上HfO2原子层沉积的表面反应机理密度泛函理论研究
机译:利用原子层沉积的HfO_2 / Al_2O_3纳米层栅电介质对GaAs金属氧化物半导体结构进行界面研究
机译:使用新合成的Y(iPrCp)2(N-iPr-amd)前驱体对Y_2O_3和掺Yf的HfO_2进行原子层沉积,以获得高介电常数的栅极电介质
机译:ZrCl / sub 4 /与Ge / Si(100)-(2 / spl times / 1)的反应机理:ZrO / sub 2 /原子层在SiGe合金表面沉积初期的密度泛函理论研究
机译:高k HfO2栅介质的射频溅射ZnO薄膜晶体管制造条件的优化。
机译:CF4等离子体处理HfO2栅电介质的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的电性能和可靠性提高
机译:退火对原子层沉积HfO2栅介质的多层MoS2晶体管电性能的影响
机译:纯HfO sub 2,包含HfO sub 2的二元系统和含HfO sub 2的其他多组分体系(ZrO sub 2)的电导率研究综述
机译:一种具有高介电常数栅氧化膜形成方法,边界层还原法,高介电常数栅绝缘膜,高介电常数栅绝缘膜和高k栅氧化膜的晶体管,
机译:高介电常数的薄膜晶体管栅介电层的原子层沉积
机译:Dy掺杂的HfO 2 Sub>薄膜作为栅极电介质的原子层沉积
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