法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-01-06
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/02 授权公告日:20120704 终止日期:20141116 申请日:20101116
专利权的终止
2012-07-04
授权
授权
2011-08-10
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20101116
实质审查的生效
2011-06-15
公开
公开
机译: 一种具有高k栅极电介质和金属栅电极的半导体器件的制造方法
机译: 一种具有高k栅极电介质和金属栅电极的半导体器件的制造方法
机译: 用于开发处理晶圆整体表面的均匀性的方法,该晶圆具有高的均匀性,一种计算机存储介质以及一种基板处理装置