摘要
Abstract
第一章 绪论
1.1 引言
1.2 薄膜晶体管的发展及应用
1.3 薄膜晶体管的工作原理
1.4 传统硅基薄膜晶体管
1.5 氧化物薄膜晶体管
1.5.1 国内外研究现状
1.5.2 半导体沟道层材料
1.5.3 介质层材料
1.5.4 电极材料
1.6 本论文的研究意义和研究内容
第二章 非晶铟锌氧化物薄膜晶体管的制备与表征
2.1 制备方法
2.1.1 直流反应磁控溅射制备无机沟道层
2.1.2 浸渍提拉法制备有机介质层
2.1.3 真空热蒸发制备金属电极
2.1.4 薄膜晶体管的结构与制备步骤
2.2 表征方法
2.2.1 薄膜结晶性及组分测试
2.2.2 薄膜表面形貌及厚度测试
2.2.3 薄膜光学性能测试
2.2.4 薄膜电学性能测试
2.2.5 薄膜晶体管电学性能测试
第三章 非晶铟锌氧化物沟道层的研究
3.1 引言
3.2 沟道层薄膜的制备
3.3 沟道层薄膜的性能分析
3.3.1 薄膜的结晶性、表面形貌及组分分析
3.3.2 薄膜的光学、电学性能
3.3.3 沟道层厚度对TFT性能的影响
3.3.4 溅射氧分压对TFT性能的影响
3.3.5 靶材组分含量对TFT性能的影响
3.4 本章小结
第四章 有机PMMA介质层的研究
4.1 引言
4.2 PMMA薄膜的制备
4.3 介质层的性能分析
4.3.1 薄膜的表面形貌
4.3.2 薄膜的光学性能
4.3.3 薄膜的介电特性
4.3.4 介质层厚度对TFT性能的影响
4.4 本章小结
第五章 器件稳定性及透明电极的探究
5.1 引言
5.2 器件稳定性
5.3 透明电极
5.3.1 薄膜制备方法
5.3.2 薄膜的结晶性与表面形貌
5.3.3 实验参数对薄膜光电性能的影响
5.4 本章小结
第六章 全文总结
参考文献
附录 硕士生在读期间的科研成果
致谢
