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【6h】

0.18微米MIM刻蚀晶片边缘良率的改善

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目录

摘要

Abstract

引言

第一章 绪论

第一节 刻蚀的定义

第二节 刻蚀的参数关系

第三节 等离子体刻蚀技术及分类

第二章 MIM刻蚀中的潜在威胁

第一节 铝互连线工艺特性

第二节 0.18微米MIM ETCH加工制造工艺

第三节 MIM刻蚀中的潜在威胁与局限

第三章 晶片边缘良率低下的原因分析及试验方案

第一节 良率问题描述

第二节 良率低下的原因分析

第三节 良率改善的实验分析

第四节 本章小结

第四章 试验结果及用于生产的实际效果

第一节 良率改善实验的结果

第二节 改善实验扩展应用于生产的实际效果

第三节 本章小结

第五章 结论与展望

参考文献

致谢

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著录项

  • 作者

    刘庆鹏;

  • 作者单位

    复旦大学;

  • 授予单位 复旦大学;
  • 学科 集成电路工程
  • 授予学位 硕士
  • 导师姓名 包宗明,代大全;
  • 年度 2011
  • 页码
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 中文
  • 中图分类
  • 关键词

    微米; MIM; 刻蚀; 晶片; 良率;

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