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1.绪论
1.1 引言
1.2 GaAs光导开关的发展历史
1.3 理论研究现状
1.4 实用现状研究
1.5 PCSS的基本工作原理
1.6 PCSS的两种工作模式
1.6.1 光导开关的线性工作模式及其特性
1.6.2 光导开关的非线性工作模式及其特性
1.7 研究意义
1.8 本章小结
2.半绝缘GaAs开关线性条件下的畴理论分析
2.1 微波半导体器件
2.2 能带结构
2.3 转移电子效应
2.4 畴的一般理论和光导开关中光激发电荷畴的器件方程
2.5 光导开关中畴的形成过程以及电流曲线分析
2.5.1 光激发电荷畴的形成
2.5.2 电流曲线的分析
2.6 本章小结
3.半绝缘GaAs中非线性“Lock-on”现象的实验和理论分析
3.1 实验现象研究
3.2 理论分析
3.3 结论
3.4 本章小结
4.在脉冲电压作用下提高光导开关THz辐射功率和信噪比方法及其蒙特卡罗模拟
4.1 各种产生THz的方法以及它们的优缺点
4.2 THz产生机理
4.3 载流子速度过冲效应
4.4 半绝缘GaAs产生THz的特性分析
4.4.1 低温GaAs和半绝缘GaAs产生THz的实验结果比较
4.4.2 半绝缘GaAs信噪比低的理论分析
4.5 设计方法
4.5.1 使用外电路控制方法实现偏置电压随时间变化的THz辐射过程
4.5.2 速度下冲效应和Rees效应
4.6 蒙特卡罗模拟结果
4.7 本章小结
5.全文小结
5.1 全文小结
5.2 进一步工作的设想
致谢
参考文献
附录在校期间公开发表的文章
西安理工大学;