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GaAs PCSS中的光激励雪崩高场畴

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本文在建立GaAs PCSS的非线性工作模型的基础上,采用二维数值模拟,得到了PCSS的端特性和物理量的瞬态分布,揭示了PCSS在非线性工作时的深层次问题.从模拟结果发现,器件能否进入非线性模式,光激励雪崩高场畴起着重要作用.模拟结果与实验现象符合相当好.

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来源
《第三届计算物理学术会议》|2001年|70-75|共6页
会议地点乌鲁木齐
作者
张义门; 龚仁喜; 张玉明;
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作者单位

中国核学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类其他器件;
关键词
二维数值模拟; 光激励雪崩高场畴; 半导体光导开关;

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