1 绪论
1.1 快恢复功率二极管的研究意义
1.2 国内外研究进展
1.3 提升快恢复功率二极管特性的方法
1.4 本文主要工作
2 功率二极管的特性和工作机理
2.1 传统pin二极管
2.2 P+(SiGe)-n--n+二极管
2.3 本章小结
3 复合结构快恢复功率二极管的特性和工艺研究
3.1 器件结构
3.2 SSD结构二极管特性模拟与优化
3.3 MOSAIC结构二极管特性模拟与优化
3.4 几种二极管的特性对比
3.5 复合结构快恢复二极管的工艺流程
3.6 实验结果的间接验证
3.7 本章小结
4 阴极不均匀掺杂的SiGe/Si功率二极管的特性和工艺研究
4.1 器件结构
4.2 器件特性的模拟分析及优化
4.3 工艺流程
4.4 本章小结
5 结论
致谢
参考文献
附录