具有软恢复特性的快恢复二极管结构

摘要

本实用新型涉及一种具有软恢复特性的快恢复二极管结构，它包括P+型阳极区域、N‑型轻掺杂区域、N+型阴极区域与高电离率区域，N‑型轻掺杂区域的正面为P+型阳极区域，N‑型轻掺杂区域的背面为N+型阴极区域；在N‑型轻掺杂区域内设有呈阵列排列的高电离率区域，且高电离率区域为矩形，高电离率区域的边沿与N‑型轻掺杂区域的边沿呈平行设置。本实用新型的二极管具有软恢复特性，使用时，反向恢复波形无振荡现象，有效地抑制了快恢复二极管给系统带来的电磁干扰，提供了系统的稳定性。