Current limiter; Fast recovery diode; Reverse recovery; Test bench;
机译:具有P型肖特基二极管的SiC超结MOSFET的反向恢复特性,嵌入在排水侧,以提高可靠性
机译:采用集成的P型肖特基二极管,在4H-SiC双沟超结MOSFET中获得了改进的反向恢复特性
机译:用于更软反向恢复的4H-SiC半超结肖特基势垒二极管的分析和仿真
机译:与软恢复二极管和SiC肖特基型二极管相比,与电流缓冲器的RESPAPY恢复二极管的反向特性
机译:SiC上的肖特基势垒二极管的设计与制造。
机译:基于P型伪垂直金刚石肖特基势垒二极管正向电流-电压特性的迁移模型
机译:3KV 600A 4H-SIC平面包装PN二极管反恢复特性的研究
机译:接触金属化和封装技术开发用于siC双极结晶体管,piN二极管和肖特基二极管,专为350°C的长期工作而设计