SiGe HBT建模及模拟技术研究

摘要

该论文首先系统研究完善了SiGe HBT器件材料物理参数模型如迁移率、禁带窄化、介电常数、基区掺杂,Ge分布等模型,获得适于建立器件直流特性、交流特性模型为目标的器件材料物理参数模型.该文对具体如何设计SiGe HBT进行了研究讨论,根据文中所建立的模型,编制了软件,该软件使用方便,计算量小,对设计SiGeHBT提供了良好的工具和具有指导作用.

目录

文摘

英文文摘

独创性声明

第一章引言

参考文献

第二章SiGe HBT物理参数

§2.1 p型应变SiGe中的少子迁移率及多子迁移率

§2.2 SiGe的禁带宽度

§2.3重掺杂SiGe禁带变窄模型

§2.4本征载流子浓度

§2.5 SiGe的介电常数

§2.6基区掺杂分布

§2.7基区的Ge分布

§2.8 Si中的少子寿命模型

参考文献

第三章基区渡越时间

§3.1小电流下基区渡越时间

§3.2基区扩展时的渡越时间

§3.3结果分析与讨论

参考文献

第四章集电极延迟时间

§4.1集电极延迟时间

§4.2集电极电容

§4.2.1部分耗尽时的Cbc

§4.2.2完全耗尽时的Cbc

§4.2.3扩展时的Cbc

§4.2.4结果分析

§4.3集电极寄生电阻(Rc)

§4.4集电极延迟时间结果讨论

参考文献

第五章发射极延迟时间

§5.1发射极延迟时间(τe)

§5.2发射极电容

§5.3发射区体寄生电阻(RE)

§5.4结果分析

参考文献

第六章发射区存贮时间

§6.1发射区存贮时间(τes)

§6.2计算结果与讨论

参考文献

第七章集电结耗尽层延迟时间

§7.1集电结耗尽层延迟(τd)

§7.1.1部分耗尽

§7.1.2完全耗尽

§7.1.3基区扩展

§7.2计算结果与分析讨论

第八章特征频率和最高振荡频率

§8.1特征频率

§8.2最高振荡频率

§8.2.1基区电阻

§8.3结果分析和讨论

参考文献

第九章SiGeHBT的直流特性

§9.1 SiGe HBT的集电极电流密度模型

§9.1.1小电流下集电极电流密度模型

§9.1.2大电流下集电极电流密度模型

§9.1.3集电极电流密度计算结果与讨论

§9.2空穴反注入电流密度

§9.3中性基区复合电流

§9.4空间电荷区复合电流

§9.5电流增益

参考文献

第十章SiGe HBT器件的设计

§10.1基区的纵向设计

§10.2发射区纵向设计

§10.3集电区纵向设计

§10.4器件的横向结构尺寸设计

参考文献

第十一章结论

致谢

附录：软件功能介绍