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声明
第一章绪论
1.1 集成电路互连技术的发展现状
1.1.1集成电路互连技术
1.1.2国内外研究状况
1.2论文的研究意义
1.3论文的主要工作及内容编排
第二章集成电路互连技术
2.1第一代互连技术-铝互连工艺
2.2第二代互连技术—Cu/低k 互连
2.2.1铜互连工艺
2.2.2低k层间介质材料
2.2.3铜/低k互连集成工艺
2.3 Cu/低k互连系统关键工艺
2.3.1阻挡层材料技术
2.3.2 Cu工艺
2.3.3 Cu的CMP平坦化技术
2.3.4低k介质与铜互连集成工艺的可靠性问题
2.4本章小结
第三章Cu互连系统电迁移失效研究
3.1 电迁移原理
3.2基本测试结构及方法
3.2.1基本测试结构
3.2.2电迁移测试方法
3.2.3 电迁移外推法
3.3短尺寸效应
3.4电迁移界面扩散机制
3.5改善电迁移特性的措施
3.5.1 Cu合金法
3.5.2添加金属表面覆盖层
3.5.3表面处理
3.6本章小结
第四章Cu互连系统应力迁移失效研究
4.1应力迁移理论
4.2有限元分析方法及软件简介
4.2.1 有限元分析方法简介
4.2.2 ANSYS软件简介
4.2.3 ABAQUS软件简介
4.3 ANSYS有限元分析
4.3.1有限元模型
4.3.2单双孔结构对残余应力的影响
4.3.3通孔直径对残余应力的影响
4.3.4铜线余量对残余应力的影响
4.3.5线宽对残余应力的影响
4.3.6介质材料对残余应力的影响
4.4 ABAQUS有限元分析
4.4.1有限元模型
4.4.2互连应力分布
4.4.3 通孔直径对应力分布的影响
4.4.4铜线余量对应力分布的影响
4.4.5双通孔结构应力分布情况
4.4.6层间介质介电常数对应力分布的影响
4.5实验及结果分析
4.5.1实验方法简介
4.5.2实验结果分析与讨论
4.6本章小结
第五章结论
致谢
参考文献
研究成果
西安电子科技大学;