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缩略语对照表
第一章 绪论
1.1紫外光电探测器概述
1.2国内外4H-SiC雪崩紫外探测器的研究现状
1.3 4H-SiC材料的性质
1.4 本文的工作和章节结构
第二章 4H-SiC雪崩紫外探测器的工作原理与结构设计
2.1 APD工作原理
2.2 APD的性能参数介绍
2.3 4H-SiC APD的结构与材料参数设计
2.4 本章小结
第三章 4H-SiC雪崩紫外探测器光谱响应的研究
3.1 Sentaurus器件仿真软件介绍
3.2 4H-SiC APD的物理模型
3.3 4H-SiC APD光谱响应的研究
3.4 本章小结
第四章 4H-SiC雪崩紫外探测器的制备与单步工艺的研究
4.1 器件制备的工艺流程
4.2 器件制备的单步工艺
4.3 p型欧姆接触的研究
4.4 4H-SiC p-i-n 紫外探测器
4.5 本章小结
第五章 总结与展望
5.1 工作总结
5.2 展望
参考文献
致谢
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