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前言
第一章概述
1.1半导体纳米材料的分类与性质
1.1.1半导体材料的分类
1.1.2半导体纳米材料性质
1.2 GaN材料的研究历史
1.3 GaN基材料的基本特性
1.3.1物理特性
1.3.2化学特性
1.3.3电学性质
1.3.4光学特性
1.4 GaN基材料的制备技术
1.4.1卤化物气相外延(HVPE)技术
1.4.2分子束外延(MBE)技术
1.4.3金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术
1.4.4化学束外延
1.5衬底的选择
1.6低维氮化镓材料的合成方法和基本情况
1.7氮化镓基材料的应用
1.7.1氮化镓基材料的光电器件
1.7.2氮化镓基电子器件
1.7.3正在探索中的新技术应用领域
1.8选题依据
第二章实验仪器设备
2.1实验中使用的主要设备
2.1.1真空镀膜系统
2.1.2电流镀膜系统
2.1.3反应系统
2.1.4实验中其它设备
2.2实验试剂
2.3结构分析与表征仪器
2.4衬底的清洗
第三章一维氮化镓纳米结构的合成
3.1氮化镓纳米带的合成
3.1.1氮化镓纳米带扫描电镜分析
3.1.2氮化镓纳米带的EDS分析
3.1.3氮化镓纳米带结构分析
3.1.4高分辨透射电镜分析
3.1.5氮化镓纳米带生长机理的讨论
3.2六角锥形氮化镓晶体的合成
3.2.1硅衬底和硅衬底上镍膜的形貌观察
3.2.2六角锥形氮化镓结构扫描电镜分析
3.2.3六角锥形氮化镓晶体的EDS分析
3.2.4六角锥形氮化镓晶体的结构分析
3.2.5六角锥形氮化镓晶体的透射电镜分析
3.2.6六角锥形氮化镓晶体生长机理的讨论
3.3氮化镓纳米线的合成
3.3.1硅衬底上镍膜的形貌观察
3.3.2氮化镓纳米线的扫描电镜分析
3.3.3氮化镓纳米线的EDS分析
3.3.4氮化镓纳米线的结构分析
3.3.5氮化镓纳米线的透射电镜分析
3.3.6氮化镓纳米线生长机理的讨论
3.4直接反应法合成蜿蜒曲折氮化镓纳米线
3.4.1产物形貌的分析
3.4.2直接法合成氮化镓纳米线的透射电镜分析
3.5一维氮化镓纳米结构生长规律的分析
3.5.1衬底形貌对产物形貌的影响
3.5.2氨气气流对产物形貌的影响
3.5.3升温速率对产物形貌的影响分析
3.6其它形貌结构氮化镓的合成
3.6.1氮化镓纳米片的合成
3.6.2氮化镓纳米棒的发现
3.6.3氮化镓纳米棒生长机理的讨论
第四章氮化镓薄膜的合成
4.1氮化镓薄膜的合成
4.1.1氮化镓薄膜的扫描电镜分析
4.1.2氮化镓薄膜的原子力显微镜分析
4.1.3氮化镓薄膜的XRD分析
4.1.4氮化镓薄膜的X射线光电子能谱(XPS)分析
第五章结论和展望
5.1结论
5.2对今后工作的展望
参考文献
致谢
攻读硕士学位期间发表的学术论文