声明
第一章 绪 论
1.1 引言
1.2 LED的发展史
1.3 GaN基材料的晶体结构和基本性质
1.4 GaN基LED简介
1.5 本课题的选题背景和意义
1.6 本论文的研究内容和结构
参考文献
第二章 MOCVD生长系统和GaN相关的测试设备
2.1 引言
2.2 MOCVD生长系统
2.3 实验测试设备
2.4 本章小结
参考文献
第三章 形核层厚度调控对GaN薄膜晶体质量的影响
3.1 引言
3.2 平面衬底上形核层厚度调控对GaN薄膜晶体质量的影响
3.3 图形衬底上形核层厚度调控对GaN薄膜晶体质量的影响
3.4 本章小结
参考文献
第四章 Si和Mg掺杂GaN的光电特性研究
4.1 引言
4.2 轻Si掺杂n型GaN中反常的高载流子迁移率和黄带强度
4.3 不同Mg/Ga比对p型GaN光电性能的影响
4.4 本章小结
参考文献
第五章 InGaN/GaN多量子阱的生长和光电性能研究
5.1 引言
5.2 阱层厚度对蓝光多量子阱性能的影响
5.3 阱层生长速率对绿光多量子阱性能的影响
5.4 本章小结
参考文献
第六章 结论与展望
6.1 结论
6.2 创新点
6.3 展望
攻读博士期间所取得的科研成果
发表的论文
申请的专利
致谢