一种提高GaN基LED光电性能的外延生长方法

摘要

本申请公开了一种提高GaN基LED光电性能的外延生长方法，依次包括：处理衬底、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长掺杂In的InxGa(1-x)N/GaN多量子阱有源层、生长P型AlyGa(1-y)N电子阻挡层、生长掺杂Mg的P型GaN层，降温冷却，处理衬底进一步为：利用直流磁控反应溅射设备在异质衬底表面上溅射AlN薄膜，异质衬底包括蓝宝石图形化衬底(patterned？sapphire？substrates,PSS)、蓝宝石(Al2O3)、硅(Si)、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)等。处理衬底还包括：将溅射好AlN薄膜的异质衬底放入MOCVD反应腔，升高温度到800℃～1200℃，降低压力到50mbar～1000mbar，以溅射AlN薄膜作为GaN外延生长的缓冲层。如此方案，能够显著降低材料的位错密度，提高GaN材料的晶体质量，从而改善LED器件的发光效率、漏电和抗静电能力等光电性能。