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声明
第一章 前言
1.1金属栅极材料TiN
1.1.1传统金属氧化物半导体管
1.1.2高介电常数金属栅极晶体管
1.1.3氮化钛基本结构及性质
1.2扩散阻挡层材料TaN
1.2.1 Cu互联
1.2.2 TaN基本结构及性质
1.3第一原理简介
1.4本论文的研究工作
第二章 密度泛函理论及其在计算机上的实现
2.1绝热近似
2.2哈特利-福克近似
2.3 Thomas-Fermi模型
2.4 Hohenberg-Kohn定理
2.5 Kohn-Sham方程
2.6 Hohenberg-Kohn变分
2.7局域密度近似
2.8广义梯度近似
2.9布洛赫定理
2.10能带结构与态密度
2.11常用计算软件
第三章 TiN表面的电子结构和表面能的第一原理计算
3.1计算模型
3.2计算结果和讨论
3.2.1晶格常数和表面能
3.2.2功函数与电子结构
第四章 TaN材料相稳定及各个相的晶体结构和电子结构
4.1计算模型
4.2计算结果与讨论
4.2.1晶体结构和相稳定
4.2.2能带结构和态密度
4.2.3电子密度图
第五章 总结
参考文献
攻读硕士期间发表的学术论文
致谢