声明
摘要
1.1.1 SiC晶体的特性
1.1.2 SiC材料的应用
1.1.3 SiC晶体的生长方法
1.2 国内外发展及研究现状
1.3 本论文的研究意义和章节安排
第二章 SiC单晶生长炉温场分布研究理论基础
2.1 SiC晶体生长
2.1.1 SiC晶体生长原理
2.1.2 SiC晶体生长方法
2.1.3 PVT法发展历程
2.2 感应加热
2.2.1 电磁感应
2.2.2 导体的加热
2.2.3 趋肤效应
2.2.4 电磁场计算
2.3 传热理论
2.3.1 热传导
2.3.2 热对流
2.3.3 热辐射
2.3.4 能量输运
2.4 有限元法
2.4.1 有限元法基本原理
2.4.2 有限元法的特点
2.4.3 有限元仿真分析流程
2.5 本章小结
第三章 大尺寸SiC单晶生长炉温场分布的仿真研究
3.1 大尺寸SiC单晶生长炉几何实体模型
3.1.1 几何实体模型的建立
3.1.2 有限元模型的材料参数
3.1.3 SiC单晶生长炉设计目标
3.2 几何实体模型网格的划分以及边界条件的确定
3.2.1 有限元模型的网格划分
3.2.2 边界条件的确定
3.3 电流对生长炉中磁场分布的影响
3.3.1 电流强度对磁场分布的影响
3.3.2 电流频率对磁场分布的影响
3.4 大尺寸SiC单晶生长炉加热过程
3.4.1 生长炉加热过程
3.4.2 关键位置温度变化
3.5 SiC单晶生长炉中的温度梯度
3.5.1 轴向温度梯度
3.5.2 径向温度梯度
3.6 线圈位置对生长炉中温度场的影响
3.7 本章小结
第四章 SiC单晶生长炉加热线圈升降控制系统设计
4.2.2 升降控制系统整体实现设计
4.3 系统各模块实现设计
4.3.1 主控模块设计
4.3.2 升降模块设计
4.3.3 显示屏模块设计
4.4 升降控制系统的可靠性设计
4.4.1 接口可靠性设计
4.4.2 限位检测电路可靠性设计
4.5 升降设备运行测试
4.6 本章小结
5.1 工作总结
5.2 未来展望
参考文献
致谢
攻读学位期间所获得的成果