机译:宽带隙半导体SiC的单晶生长研究进展
TankeBlue Semiconductor Co. Ltd;
Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics Institute of Physics Chinese Academy of Sciences;
Single Crystal Growth; Wafer Processing; Defect; Silicon Carbide;
机译:宽带隙半导体的新趋势:在P型硅(100和/或111)上通过低压化学气相沉积技术合成单晶碳化硅层及其表征
机译:氮化物宽带隙半导体的晶体生长
机译:分子束外延在宽带隙半导体6H-SiC上外延生长六价铁酸钡薄膜
机译:宽带隙III族氮化物半导体的晶体生长和电导率控制的最新进展
机译:同步加速器白束X射线形貌分析宽带隙半导体单晶的缺陷
机译:生长宽带隙半导体氮化铝晶体的环保方法:基本源气相外延
机译:SI(CC)4基于单晶半导体:金刚石的超灯和用于UV光电导装置的超赤壁宽带隙材料
机译:新型宽带隙晶体:2H-siC和β-氧化镓的低温生长。