一种大尺寸SiC单晶生长装置及其工作方法

摘要

本发明涉及一种大尺寸SiC单晶生长装置及其工作方法。本发明所述大尺寸SiC单晶生长装置的加热方式，与传统的单频加热方式相比，在保持了感应加热结构简单、热效率更高、加热速率快的前提下，又能有效的减小晶体生长装置中晶体生长面的径向温度梯度，从而改善晶体生长形貌，提高晶体品质，能有效的满足大尺寸SiC单晶生长装置的加热要求。