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SiC单晶生长炉温度场有限元分析及模拟

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摘要

采用有限元分析方法对物理气相传输法SiC单晶生长炉内温度场进行研究,采用有限元模拟软件对生长炉内温度分布进行模拟,得到了炉内温度的分布结果.分析了炉内的温度分布规律及对SiC单晶生长速率的影响,提出调节SiC生长温度区域的措施.

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来源
《重庆理工大学学报》 |2008年第11期|42-46|共5页
作者
徐伟; 刘雪绞;
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作者单位

太原理工大学理学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类冶金炉设计和计算;
关键词
SiC单晶; 温度场; 有限元分析;

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