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第一章 引言
第二章 半导体异质结中极化子回旋共振及其压力效应
第三章 Ⅲ-Ⅴ族宽禁带含氮三元混晶半导体禁带宽度的计算
参考文献
致谢
攻读硕士学位期间发表的学术论文
于晓龙;
内蒙古大学;
半导体异质结; 极化子朗道能级; 半导体物理; 极化子回旋质量;
机译:现实异质结中极化子的回旋加速器共振及其压力效应
机译:GaAs / AlGaAs异质结构中极化子回旋共振质量的温度依赖性
机译:静水压力对极性半导体异质结中结合极化子的影响
机译:半导体微腔中极化子-极化子相关的非线性光学
机译:通过光子辅助的电子回旋共振化学气相沉积法生长的非晶和微晶硅薄膜,用于异质结太阳能电池和薄膜晶体管。
机译:观察碳纳米管-硅异质结中的光致共振隧穿效应
机译:GaAs-(Ga,Al)As异质结中通过共振极化子回旋加速器共振观察到的与载流子浓度相关的电子-LO-声子耦合
机译:半导体异质结构中界面极化子的回旋共振
机译:异质结场效应晶体管的基体,异质结场效应晶体管的制造方法以及异质结场效应晶体管
机译:确定基于多层铝(铝,镓,砷)半导体异质结的纳米电子共振隧穿二极管(RTD)的抗辐射和温度效应的方法
机译:异质结场效应晶体管,异质结场效应晶体管的制造方法以及电子设备。
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