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摘要
第一章 绪论
§1.1 国内外研究概况
§1.2 论文内容安排
第二章 势垒对GaAs/AlxGa1-xAs量子阱中杂质态结合能的作用及磁场影响
§2.1 理论模型
§2.2 物理参数的压力效应
2.2.1 压力对禁带宽度的影响
2.2.2 压力对电子有效质量的影响
2.2.3 压力对介电常数的影响
2.2.4 压力对晶格振动频率的影响
§2.3 结果和讨论
§2.4 结论
参考文献
致谢
攻读硕士学位期间完成的学术论文
张雪枫;
内蒙古大学;
有限厚势垒; GaAs/AlxGa1-xAs量子阱; 杂质态结合能; 磁场效应; 压力变化;
机译:均匀磁场作用下势垒高度对同轴GaAs / Al_xGa_(1-x)As量子阱线中浅氢杂质结合能的影响
机译:GaAs-(Ga,Al)As量子阱中浅层杂质态的结合能和密度:施加的静水压力的影响
机译:在平行于生长方向的电场和磁场作用下,逆抛物线形量子阱中氢杂质态的结合能
机译:磁场作用下量子阱中的施主杂质态:无变方法
机译:I.多催化作用:在复杂的杂环化合物的合成中三氟甲磺酸铋(III)催化的亲核加成/加氢官能化反应的发展。羰基钯催化剂对芳烃和杂芳烃的CH-H芳基化反应:催化剂静止状态的鉴定以及新戊酸酯配体在稳定催化剂中的关键作用III。羰基钯催化剂催化杂芳烃的CH芳基化:膦配体对基础杂芳烃基质的重要性IV。杂芳烃与钯-羧酸酯的CH芳基化:碱性杂芳烃底物性能对直接芳基化的影响。
机译:磁场对Ga1-xInxNyAs1-y / GaAs量子阱中浅施主杂质的杂质结合能的影响
机译:具有插入的薄alas势垒的调制掺杂alGaas / Gaas / alGaas量子阱中电子迁移率的大幅增加。
机译:具有量子阱-势垒层界面结构的GaAs衬底上的应变层InGaAs量子阱半导体激光器
机译:具有InGaAsP量子阱和GaAsP势垒层的激光器
机译:在GaAsN势垒层和InGaAsN量子阱中使用Sb的长波长VCSEL有源区
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