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声明
1 绪论
1.1课题研究的背景及意义
1.2 SiC表面处理的国内外发展状况
1.3本文的主要工作
2 ECR-PEMOCVD系统与表面分析技术
2.1 ECR-PEMOCVD系统
2.2表面分析技术
2.3本章小结
3等离子体反应机理及影响因素
3.1氢等离子体处理反应机理
3.2影响等离子体处理效果的因素
3.3本章小结
4 ECR氢等离子体处理SiC(0001)面的效果
4.1 实验过程
4.2氢等离子体处理对表面微结构的影响
4.3氢等离子体处理对表面污染物的消除效果
4.4氢等离子体处理对表面抗氧化性的影响
4.5 ECR氢等离子体处理对SiC欧姆接触及MOS界面态的影响
4.6本章小结
结 论
参考文献
攻读硕士学位期间发表学术论文情况
致 谢