声明
摘要
1 绪论
1.1 课题的研究背景与意义
1.2 SiO2/SiC界面研究现状
1.3 论文的研究思想和研究内容
2 氮钝化SiC MOS电容的制作工艺及测试
2.1 SiC MOS电容的制作工艺
2.1.1 衬底预处理
2.1.2 氧化工艺
2.1.3 氮等离子体处理工艺
2.1.4 电极制作工艺
2.2 SiC MOS电容的测试
2.2.1 SiC MOS电容的电流-电压(I-V)特性测试
2.2.2 SiC MOS电容的电容-电压(C-V)特性测试
2.3 本章小结
3 氮钝化SiC MOS栅氧化膜击穿特性评价
3.1 Fowler-Nordheim隧穿电流模型
3.2 SiC MOS棚氧化膜击穿特性分析
3.2.1 氧化物击穿模式
3.2.2 氧化膜击穿特性
3.3 本章小结
4 氮钝化SiC MOS界面特性的Gray-Brown法分析
4.1 用于SiC材料的Gray-Brown法
4.1.1 SiC材料的相关参数
4.1.2 Gray-Brown法的计算
4.2 SiC MOS界面特性评价
4.2.1 MOS界面特性及分析
4.2.2 MOS界面特性改善效果
4.3 本章小结
结论
参考文献
攻读硕士学位期间发表学术论文情况
致谢