Drift Drain MOSFET模拟与建模

摘要

近年来，高压双扩散漏器件DDDMOS(DriftDrainMOSFET)以其优良的性能被广泛地应用于电源管理、输入输出接口、LCD驱动等电路中。然而，目前在业界缺少标准和准确的DDDMOS电流模型，给电路设计者带来困难。业界目前使用的模型只是在低压MOS模型基础上作一些修改，或者通过用简单多项式的形式建立DDDMOS漂移区电阻的宏模型以建模。这两种方法各有其局限性，很难得到准确的全区域模型，所建立的模型物理意义也不是很明确，不能普遍适用于各厂家的工艺要求。 本论文利用标准的器件及工艺模拟软件研究了DDDMOS的工作特性，并在此基础上提出了基于物理意义的器件宏模型。首先介绍了器件建模的基本原理及相关模拟技术，然后利用工艺模拟软件生成器件基本结构，并对其基本特性进行了分析；分析了业内和学术界比较通用的高压器件建模的方法，随后在模拟实验的基础上着重分析了DDDMOS的物理特性，在求解泊松方程、连续性方程等基本方程的基础上，建立有物理意义的漂移区电阻的宏模型：随后结合SPICEMOS(LEVEL=3)模型而得到完整的DDDMOS模型，此模型与模拟数据符合得比较好，通过对不同工艺参数的器件进行模拟比较，该模型能够覆盖不同的工作偏压范围，具有较明确的物理意义，对今后的功率集成电路的研发有一定的参考意义。

目录

文摘

英文文摘

苏州大学学位论文独创性声明及使用授权的声明

第一章引言

第二章器件建模的基本理论与高压器件模拟、建模

第三章DDDMOS器件结构及工作原理

第四章DDDMOS伏安特性建模

第五章结论

参考文献

硕士期间发表的论文

附录

致谢