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目录
第一章 绪论
1.1 功率集成电路与功率半导体器件
1.2 LDMOS的设计技术
1.3 LDMOS耐压模型的研究进展
1.4 本文的主要工作
第二章 漂移区同型掺杂横向高压器件全域耐压模型
2.1 引言
2.2 任意纵向掺杂漂移区等效杂质浓度及场势分布模型
2.3同型掺杂漂移区击穿电压模型
2.4 同型掺杂漂移区RESURF判据
2.5 本章小结
第三章 漂移区异型掺杂横向高压器件耐压模型
3.1 引言
3.2 均匀掺杂埋层体硅T-RESURF高压器件
3.3 线性掺杂埋层体硅T-RESURF高压器件
3.4双导层SOI高压器件
3.5 本章小结
第四章 横向高压器件漂移区纵向掺杂分布的优化设计
4.1 引言
4.2 横向高压器件的最优击穿性能
4.3 横向高压器件的导通性能
4.4 横向高压器件的FOM优值
4.5 本章小结
第五章 0.18μm CMOS工艺的LDMOS的设计与研制
5.1引言
5.2 LDMOS的工艺设计与性能分析
5.3 LDMOS的版图设计
5.4 LDMOS的流片测试
5.5本章小结
第六章 总结和展望
6.1 工作总结
6.2 研究展望
参考文献
攻读博士学位期间的研究成果
致谢
南京邮电大学;