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花亮;
南京师范大学;
密度泛函; 磁性相变; 空位缺陷; 反钙钛矿结构材料; 第一性原理;
机译:第一性原理研究空位缺陷对Fe_(94)V_6合金磁性能的影响
机译:空位缺陷和过渡金属掺杂对砷的影响:第一性原理研究
机译:固有空位缺陷在Sr 3 sub> SnO的电子和磁性中的作用:第一性原理研究
机译:3C-SiC掺杂半导体材料的电导率和磁性能研究:第一性原理研究
机译:弱反铁物磁性和拓扑材料的第一原理研究
机译:空位缺陷对钙铁矿(Fe3S4)电子结构的影响的第一性原理研究
机译:锑掺杂对铁基材料影响的第一性原理研究 超导体CaFe(sb $ _ {x} $ as $ _ {1-x} $)$ _ {2} $
机译:缺陷和表面的第一性原理研究及其对氮化物器件的影响
机译:在顺磁性或反磁性材料的情况下对磁性材料进行无损检测的设备和方法
机译:具有掩埋结层的半导体器件,其具有掺杂和反掺杂材料的散布图案
机译:具有掩埋阻挡层的半导体器件,该掩埋阻挡层具有掺杂和反掺杂材料的散布图案
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