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摘要
1 绪论
1.1 GaAs光电阴极概述
1.2 表面光电压及其测试技术
1.2.1 表面光电压形成
1.2.2 表面光电压测试技术
1.3 本文研究背景
1.4 本文的主要工作
2 GaAs表面光电压谱测试系统
2.1 表面光电压探测方法
2.1.1 开尔文探针法
2.1.2 MIS法
2.1.3 SPV形貌扫描法
2.2 多层GaAs表面光电压谱测试系统结构
2.2.1 多层GaAs表面光电压谱测试系统原理
2.2.2 表面光电压谱测试系统构成
2.3 GaAs表面光电压谱测试系统软件
2.3.1 操作界面
2.3.2 串口通讯
2.3.3 Matcom数据拟合
3 SPV表征多层GaAs特性参数
3.1 表面光电压计算表达式
3.1.1 单空间电荷区光电压理论表达
3.1.2 多个空间电荷区形成的光电压
3.1.3 Dember光电压理论表达
3.1.4 MIS结构理想因子概念
3.2 单层厚GaAs光电压理论公式
3.2.1 单层厚GaAs能带图
3.2.2 单层厚GaAs扩散长度计算
3.2.3 MIS结构理想因子计算
3.2.4 漂移电流及表面复合速率计算
3.3 双层结构AlGaAs/GaAs光电压理论公式
3.3.1 双层结构AlGaAs/GaAs能带图
3.3.2 双层结构AlGaAs/GaAs特性参数计算
3.4 三层结构GaAs/AlGaAs/GaAs光电压理论公式
3.4.1 三层结构GaAs发射层/AlGaAs/GaAs衬底能带图
3.4.2 三层结构GaAs发射层/AlGaAs/GaAs衬底特性参数计算
3.5 本章小结
4 多层结构GaAs特性参数实验分析
4.1 表面光电压谱测试步骤及可行性验证
4.1.1 表面光电压谱测试步骤
4.1.2 多层结构GaAs表面光电压形成机理验证
4.2 基于SPV的双层结构AlGaAs/GaAs特性参数分析
4.2.1 理想因子
4.2.2 衬底扩散长度
4.2.3 p-Al0.63Ga0.37As/p-GaAs特性参数
4.2.4 双层结构AlGaAs/GaAs激活前后对比
4.3 基于SPV的三层结构GaAs/AlGaAs/GaAs特性参数分析
4.3.1 理想因子
4.3.2 si-GaAs衬底扩散长度、漂移电流等参数
4.3.3 p-Al0.57Ga0.43As/si-GaAs特性参数
4.3.4 p-GaAs发射/p-Al0.57Ga0.43As/si-GaAs衬底特性参数
4.3.5 三层结构材料激活前后对比
4.4 本章小结
5 结束语
5.1 论文工作总结
5.2 有待完善的工作
致谢
参考文献
附录
南京理工大学;