常压射频冷等离子体喷枪及其电源的研制

摘要

本文介绍了一种新型的常压射频微束等离子体流放电装置，并用该装置对微电子工艺中光刻胶的清洗进行了实验研究。该设备采用自激射频放电产生微束氩氧等离子体，其产生束流的长度为10mm，直径为2mm，放电功率仅为50W。采用这种等离子体微束流清洗光刻胶的实验表明，在涂有9912光刻胶的硅片上，用微束等离子体清洗光刻胶的速率能达到900nm/min。这种设备和工艺为微电子制造工艺中局部残胶的清洗提供了一种可靠的手段。 本文还研制了用于该设备的自激射频电源，该电源通过晶振(13.56MHz)自激振荡产生射频信号，经过功率放大后升压输出，具有体积小、结构简单、功率低等特点，满足整个设备小型化及低功耗的要求。

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第一章绪论

§1.1课题研究的背景及其意义

§1.2清洗光刻胶的方法

§1.2.1湿法化学清洗

§1.2.2干法+湿法

§1.2.3干法清洗

§1.3等离子体简介

§1.4真空(低压)等离子体去除光刻胶技术

§1.5常压低温冷等离子体去除光刻胶技术

§1.5.1常压低温冷等离子体去除光刻胶的研究进展

§1.5.2常压射频冷等离子体清洗光刻胶的研究

§1.5.3常压射频冷等离子体清洗光刻胶的意义

§1.6本文的主要工作

第二章本课题研制的常压射频等离子体喷枪设备

§2.1常压射频冷等离子体喷枪设备

§2.2常压射频冷等离子体喷枪的放电特性

§2.3光谱特性

第三章常压射频冷等离子体清洗光刻胶研究

§3.1实验数据的分析方法

§3.2常压射频冷等离子体清洗正性光刻胶9912的实验研究

§3.2.1输入功率对清洗速率的影响

§3.2.2氧气的流速对清洗速率的影响

§3.2.3氩气流量对清洗速率的影响

§3.2.4硅片在距离喷口不同距离处对清洗速率的影响

§3.3清洗结果分析

第四章自激射频等离子体电源研究

§4.1整流电路

§4.2滤波电路

§4.3 IGBT介绍

§4.4本论文的电源电路

结 论

致 谢

参考文献