InxGa1-xN/GaN多量子阱结构的缺陷研究

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1 绪论

1.1 GaN 基材料发展历程及研究背景

1.2 GaN材料的基本特性

1.3 GaN中的缺陷

1.4 InGaN/GaN 量子阱基本性质

1.5 MOCVD 制备 InGaN 热力学分析

1.6 InGaN 合金的生长研究进展

2 半导体材料表征方法

2.1 透射电子显微术

2.2 光致发光

2.3 X射线双晶衍射技术

3 InxGa1-xN/GaN 多量子阱结构中的V缺陷研究

3.1 引言

3.2 样品制备

3.3 结构性质及参数的测量表征

3.4 讨论

3.5 小结

4 InxGa1-xN/GaN 多量子阱结构中的In相沉积研究

4.1 引言

4.2 样品制备

4.3 光致发光测量

4.4 透射电镜TEM和XRD分析

4.5 讨论

4.6 小结

5 结论

致谢

参考文献

附录1 攻读学位期间发表论文目录