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BiFeO3/Bi3.25La0.75Ti3O12双层多铁薄膜的制备及性能研究

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声明

1 绪 论

2 铁电-铁磁薄膜的制备工艺及性能表征方法

3 BFO 铁磁性材料的制备与性能表征

4 BFO/BLT 多铁复合薄膜的制备与性能研究

5 全文总结

致 谢

参考文献

附录1 攻读硕士学位期间发表的论文

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摘要

近几年来,多铁材料由于其同时具有铁电性和铁磁性而成为人们研究的焦点,被认为在信息存储、自旋电子器件、传感器等领域有广阔的应用前景。在单相多铁材料中,BiFeO3(BFO)是极少数在室温下同时具有铁电性和铁磁性的材料,备受人们的青睐。
   本文在对BFO靶材和薄膜条件、性能测试表征的基础上,进一步探索研究了BFO/BLT双层薄膜的最佳制备工艺与多铁性能。针对BFO 材料对温度敏感而难以获得纯相的样品,制备BFO 靶材使用改进的固相烧结工艺,升温过程采用快速升温的方法,迅速升温至820℃保持20min后降到室温。由于升温速度很快,跳过了BFO 材料极为敏感的温度区间,从而避免了杂相的生成。在成功制备出纯相的可用于溅射的BFO 靶材的基础上,使用磁控溅射法制备BFO 薄膜,通过调节不同的工艺参数,得到了磁控溅射法制备BFO薄膜的最佳工艺。采用溶胶-凝胶法在Pt/TiO2/SiO2/p-Si(100)衬底上制备了BLT 铁电薄膜。薄膜呈随机取向,没有杂相的生成;且具有很好的铁电性,2Pr 为36.4 μC/cm2,2Ec 约为246kV/cm。通过制备BFO/BLT双层薄膜结构改善了薄膜性能。BLT层的引入在一定程度上抑制了BFO中少量的杂相,而且抑制了BFO 薄膜中存在的部分晶粒异常长大现象。由于BFO薄膜晶粒的均匀性致密性得到改善等原因,薄膜样品漏电流性质得到改善,漏电流密度下降了一到两个数量级。由于漏电流密度的减小,使样品可以承受更高的测试电压而不被击穿,得到了饱和的电滞回线,铁电性得到了极大的改善,2Pr为12.4μC/cm2。

著录项

  • 作者

    李玉斌;

  • 作者单位

    华中科技大学;

  • 授予单位 华中科技大学;
  • 学科 微电子学与固体电子学
  • 授予学位 硕士
  • 导师姓名 于军;
  • 年度 2011
  • 页码
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 中文
  • 中图分类 TN304.055;
  • 关键词

    多铁材料; 铁电薄膜; 薄膜制备; 磁控溅射;

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