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硅压阻式压力传感器的设计与实验研究

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1 绪论

1.1概述

1.2国内外研究现状及前景概述

1.3压力传感器可靠性分析

1.4 温度补偿概述

1.5 课题来源及论文安排

2 压力传感器芯片的设计

2.1 压力传感器芯片输出计算

2.2压力传感器芯片受力分析及设计

2.3传感器芯片加工工艺

2.4 本章小结

3 压力传感器的封装与测试

3.1压力传感器的封装概述

3.2 TO封装

3.3 封装后的性能测试

3.4 本章小结

4 压力传感器的温度补偿

4.1 压力传感器的温度补偿

4.2 调理芯片内部结构

4.3 调理电路设计

4.4本章小结

5 实验方案及结论

5.1 实验方案设计

5.2 实验数据

5.3 本章小结

6 总结与展望

6.1全文总结

6.2 对今后工作的展望

致谢

参考文献

附录1 攻读硕士学位期间发表的论文及专利

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摘要

传感器技术是MEMS领域的一个重要分支,经过几十年的迅猛发展,传感器技术越来越成熟,并被广泛的应用到各行各业中。国外传感器起步较早,并且很注重创新,在很多方面都优于国产的传感器,因而占据了大部分的市场份额。由于技术、成本、风险等因素的制约,很多研究机构的投入力度和水平都比较低,故在传感器这个领域的发展较慢。本文工作就是在国家自主创新基金资助项目的支持下进行的。
  本次课题研究的任务是设计一款精度高、稳定性好、易于批量化生产的传感器。为了更好的完成设计,先对传感器的工作原理和现有的制作工艺进行了了解,为后面的工作打下坚实基础。整篇论文的主要工作完成如下:
  (1)通过有限元对传感器受力进行了分析,运用小变形理论,对传感器结构的各个尺寸进行了计算,包括硅片厚度、腔体尺寸以及玻璃厚度等,并对传感器的版图进行了设计,包括桥路电阻的大小、位置、厚度等,完成了前期的设计工作;
  (2)对压力传感器的制作工艺进行了设计,包括光刻、腐蚀、阳极键合等,并辅助加工制作,在磨抛机上对生产的传感器芯片进行研磨,并在光学显微镜下进行测量,以验证设计的可靠性;
  (3)完成了传感器芯片的封装工作,通过有限元的方法研究贴片胶杨氏模量、厚度等参数对芯片应力的影响,并通过打金线将信号引出;
  (4)用飞恩公司的设备搭建的测试系统,对传感器的静态数据进行了测量,并计算关键的相关参数,发现传感器的线性度和量程性能很好,但灵敏度和零点却存在漂移,完成传感器性能评估;
  (5)完成信号调理电路的原理图的设计,并根据芯片原理和实际的要求,对部分元器件的参数进行优化;
  (6)用已有的控制程序将补偿参数写入到调理芯片的存储器中,精度完全满足要求,实现了传感器温度补偿和信号处理。

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