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Design of piezoresistive pressure sensor made of silicon

机译:硅压阻式压力传感器的设计

摘要

机译:

著录项

  • 公开/公告号DE69210041T2

    专利类型

  • 公开/公告日1996-10-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 HONEYWELL INC US;

    申请/专利号DE1992610041T

  • 发明设计人 BURNS DAVID US;GLEN MAX US;

    申请日1992-12-11

  • 分类号G01L9/00;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-22 03:41:07

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