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【6h】

忆阻突触器件的研究及其在人工神经网络中的应用

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目录

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1 绪论

1.1 人工突触的研究背景及意义

1.2 生物突触简介

1.3 人工突触的理想特性

1.3.1 器件尺寸(Device Dimensions)

1.3.2 多值特性(Multi-level States)

1.3.3 动态范围(Dynamic range)

1.3.4 线性和对称的电导变化(Linear and symmetric update of conductance)

1.3.5 器件异变(Device Variation)

1.3.6 保持性和耐久度(Retention and endurance)

1.3.7 功耗(Energy Consumption)

1.4 人工突触器件及研究现状

1.4.1 相变存储器(PCM)

1.4.2 忆阻器(RRAM)

1.4.3 新型场效应晶体管

1.4.4 其他材料

1.5 论文的研究内容及安排

2 忆阻突触器件研究

2.1 忆阻器简介

2.1.1 导电细丝(conductive filament)

2.1.2 界面效应(interfacial mechanism)

2.2 忆阻突触的制备工艺流程

2.2.1 切片与清洗

2.2.2 制备底电极

2.2.3 功能层制备

2.2.4 顶电极制备

2.3 器件的电学测试及性能优化

2.3.1 忆阻器测试系统

2.3.2 直流特性曲线

2.3.3 脉冲响应曲线

2.4 本章小结

3 忆阻神经网络在人脸识别中的应用

3.1 忆阻神经网络介绍及研究进展

3.2 忆阻神经网络应用于人脸识别

3.3 忆阻器件参数对网络性能的影响分析

3.4 本章小结

4 总结与展望

致谢

参考文献

附录1 攻读硕士学位期间发表论文目录

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著录项

  • 作者

    李世杰;

  • 作者单位

    华中科技大学;

  • 授予单位 华中科技大学;
  • 学科 微电子学与固体电子学
  • 授予学位 硕士
  • 导师姓名 何毓辉;
  • 年度 2019
  • 页码
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 中文
  • 中图分类
  • 关键词

    突触; 器件; 人工神经网络;

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