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二硫化钼纳米薄膜的制备及其电学和光电性能调控研究
SYNTHESIS AND MODULATION OFELECTRONIC AND OPTOELECTRICPROPERTIES OF MOLYBDENUM DISULFIDENANO FILMS
摘 要
Abstract
目 录
Contents
第 1 章 绪 论
1.1 课题背景及研究目的和意义
1.2 二硫化钼（MoS2）的结构和物性
1.3 二维 MoS2 的制备及其光电器件研究进展分析
1.4 本论文的主要研究内容
第 2 章 试验材料与方法
2.1 试剂材料
2.2 试验仪器
2.3 材料制备方法
2.4 材料的表征方法
第 3 章 单层 MoS2的形貌调控及其晶界结构对电学性质的影响研究
3.1 引言
3.2 多角 MoS2 的形貌调控和电学性质
3.3 MoS2 形貌对压电性质调控的研究
3.4 本章小结
第 4 章 MoS2 表面外延生长非层状硫化镉功能化垂直异质结
4.1 引言
4.2 CdS/MoS2 垂直异质结的制备过程
4.3 CdS/MoS2 垂直异质结的结构表征
4.4 CdS/MoS2 生长动力学分析
4.5 CdS/MoS2 光谱性质研究及能带结构分析
4.6 CdS/MoS2 以及 MoS2 光探测器性能对比
4.7 本章小结
第 5 章 高形变的 MoS2剪纸结构的制备及其力学传感性能研究
5.1 引言
5.2 大面积 MoS2 薄膜的制备
5.3 MoS2/PDMS 复合剪纸结构的制备
5.4 MoS2 剪纸结构传感器结构表征
5.5 剪纸结构器件的力学和电学关系研究
5.6 高形变量器件对大形变动作的传感性能研究
5.7 本章小结
第 6 章 图案化生长 p 型 MoS2薄膜及其电学性能研究
6.1 引言
6.2 WOx 修饰 MoS2 的制备方法
6.3 P 型 MoS2 薄膜的结构表征及电学性质研究
6.4 第一性原理计算 P 型 MoS2 形成的原因及其实验验证
6.5 MoS2 P-N 结的制备及性能研究
6.6 本章小结
结 论
参考文献
攻读博士学位期间发表的论文及其它成果
哈尔滨工业大学学位论文原创性声明和使用权限
致 谢
