高导电性二硫化钼纳米薄膜及其制备方法

摘要

本发明公开了一种高导电性二硫化钼纳米薄膜及其制备方法，属于热电材料领域。所述高导电性二硫化钼纳米薄膜由二硫化钼及氯化铜构成，其中，所述氯化铜与二硫化钼的摩尔比0.01‑0.77:1，所述纳米薄膜的电导率为60‑101S/cm。本发明通过优化掺杂铜离子的浓度制备出高导电率及低热导率的二硫化钼纳米薄膜。