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第1章绪论
1.1本文研究的背景及意义
1.2 NiTi合金表面改性技术
1.3 a-C:F膜的性能特点
1.4 a-C:F膜的制备技术
1.4.1 a-C:F膜气体源沉积技术
1.4.2 a-C:F膜固体源沉积技术
1.5 a-C:F膜的应用
1.5.1 a-C:F膜在生物医用领域的应用
1.5.2 a-C:F膜在超大规模集成电路领域的应用
1.6本文的研究内容
第2章a-C:F膜制备及表征方法
2.1 a-C:F膜的制备方法
2.1.1磁控溅射原理及特点
2.1.2实验装置介绍
2.2 a-C:F膜表征方法
2.2.1傅立叶红外吸收光谱
2.2.2 X射线光电子能谱
2.2.3 Raman光谱
2.2.4 X射线衍射分析
2.2.5纳米压痕技术
2.2.6原子力形貌分析
2.2.7电化学分析
2.3本章小结
第3章a-C:F膜的制备实验
3.1实验方案设计
3.1.1溅射参数选定
3.1.2溅射工艺制定
3.2 a-C:F膜的制备过程
3.2.1基片前处理
3.2.2溅射过程
3.3本章小结
第4章a-C:F膜的结构和形貌表征
4.1 a-C:F膜的红外光谱分析
4.1.1 PTFE靶的红外光谱
4.1.2射频功率的影响
4.1.3 Ar流量的影响
4.1.4沉积时间的影响
4.2 a-C:F膜的X射线光电子能谱分析
4.2.1射频功率的影响
4.2.2 Ar流量的影响
4.3 Raman光谱分析
4.3.1射频功率的影响
4.3.2 Ar流量的影响
4.4 X射线衍射结构分析
4.5 a-C:F膜表面形貌分析
4.5.1 a-C:F膜原子力显微表面形貌分析
4.5.2射频功率的影响
4.5.3 Ar流量的影响
4.5.4沉积时间的影响
4.6本章小结
第5章a-C:F膜的力学及腐蚀性能
5.1 a-C:F膜的加载-卸载曲线
5.2射频功率对a-C:F膜力学性能的影响
5.2.1不同射频功率下a-C:F膜的加载卸载曲线特性
5.2.2不同射频功率下a-C:F膜的划擦行为
5.3 Ar流量对a-C:F膜力学性能的影响
5.3.1不同Ar流量下a-C:F膜的加载卸载曲线特性
5.3.2不同Ar流量下a-C:F膜的划擦行为
5.4电化学分析
5.4.1开路电位-时间曲线
5.4.2极化曲线
5.5本章小结
结 论
参考文献
攻读硕士学位期间发表的论文和取得的科研成果
致 谢