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葛梅;
哈尔滨工程大学;
功率半导体器件; 击穿电压; 比导通电阻; 浮栅结构; 沟槽结构;
机译:GDNMOS和GDBIMOS器件可在薄膜先进的FD-SOI技术中提供高压ESD保护
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机译:用于150 V SOI BCD工艺的高压SCR-LDMOS ESD器件的研究
机译:在薄SOI上模拟700 V高压器件结构-衬底偏置对SOI器件的影响
机译:使用低电压(LV)和高压(HV)碳化物(SIC)器件,实现高效率中电压转换器和用于高速驱动器和其他网格应用,以及高压(HV)碳化硅(SIC)器件
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机译:水动力学模拟研究浮体效应对sOI器件噪声的影响
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