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李艳慧;
河南师范大学;
石墨烯; 第一性原理; 密度泛函; 空位缺陷; 替位掺杂; 电子性质;
机译:吸附在石墨烯和掺杂石墨烯上的氯分子:第一性原理研究
机译:吸附在石墨烯和杂原子掺杂的石墨烯上的二氧化硫:第一性原理研究
机译:SiGe单层上气体吸附作为传感器应用的第一性原理研究
机译:石墨烯和碳纳米管的功能化和取代掺杂的第一性原理研究。
机译:离子在原始的有缺陷的和B掺杂的石墨烯上吸附和扩散的第一性原理研究
机译:掺杂石墨烯上CO分子的吸附:第一性原理研究
机译:用于器件应用的石墨烯带结构和带隙工程的第一性原理研究。
机译:用于屏蔽电磁辐射以屏蔽电磁辐射的结构包括石墨烯薄层和柔性衬底,其中石墨烯薄层施加在柔性衬底上并掺杂有掺杂剂
机译:形成Ga掺杂的SiGe和B / Ga掺杂SiGe层
机译:用石墨烯在SiC衬底上沉积石墨烯的方法以及用石墨烯沉积SiC衬底的方法
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