声明
第一章 绪论
1.1 引言
1.2 传统PN结理论的局限性
1.3 多子(过剩多子)的研究综述
1.4 本论文主要工作及创新点
第二章 半导体中的电中性与电流连续性
2.1 电中性条件
2.2 空间电荷限制电流
2.3 电流连续性
2.4 本章小结
第三章 PN结的新理论体系
3.1 传统PN结理论要点回顾及其缺陷
3.2 过剩多子及其存在性证明
3.3 过剩载流子的伴生电场
3.4 PN结新理论体系的建立
3.5 PN结电流输运的讨论
3.6 PN结新理论的要点总结
3.7 本章小结
第四章 基于新理论的PN结交流性质研究
4.1 传统理论关于PN结交流性质存在的矛盾
4.2 PN结新理论的交流工作模型
4.3 基于新理论的电流-电压特性和电容-电压特性
4.4 PN结交流工作模型的要点总结
4.5 本章小结
第五章 PN结新理论对若干结型器件的应用
5.1 光照情况下PN结的电流输运
5.2 PIN结中载流子的色散效应
5.3 BJT的高频电流增益
5.4 本章小结
第六章 结论与展望
6.1 主要结论
6.2 展望
参考文献
在学期间的研究成果
致谢