约束刻蚀剂层技术用于砷化镓三维规整细微图形的复制加工

摘要

该论文开展了下面的一些研究工作:一、化学模板电极的制备.设计出微齿轮状、金字塔状等规整微图形,通过合作单位利用体硅工艺制成硅材料的模板.通过逐渐优化制作过程,摸索出一条较为成熟电化学模板的制作工艺.二、用规则模板对半导体GaAs的加工刻蚀.1.齿状模板对GaAs的加工刻蚀;2.金字塔状阵列模板对GaAs的加工刻蚀.三、CELT技术用于抛光刻蚀.以抛光微圆盘电极作模板对粗糙的GaAs表面进行平整,获得了表面粗糙度更小的平整表面,显示了CELT技术作为一种平面抛光手段的潜力.

目录

文摘

英文文摘

第一章 绪论

§1.1微系统简介

§1.2电化学在微系统中的应用

§1.3约束刻蚀剂层技术简介

§1.4本论文工作的目的和设想

参考文献

第二章 实验

§2.1试剂、溶液、半导体材料及靶材

§2.2电极的制备和处理

§2.3实验装置

§2.4超精密电化学微加工驱动系统

§2.5镀膜技术—射频溅射

§2.6原子力显微镜技术(Atom Force Microscope,AFM)

参考文献

附图及附录

第三章 电化学模板电极的制备

§3.1电化学模板的特点

§3.2 Si模板的导电镀层

§3.3 Si模板引线的制作

§3.4电极的包封

§3.5电化学模板的性能测试

参考文献

附图

第四章 用规则模板对半导体GaAs的加工刻蚀

§4.1利用CELT刻蚀GaAs的化学体系

§4.2齿状模板对GaAs的加工刻蚀

§4.3金字塔状模板对GaAs的加工刻蚀

§4.4正六边形模板对GaAs的加工复制

§4.5小结

参考文献

附图

第五章 约束刻蚀剂层技术用作抛光平整的初步研究

§5.1现有的抛光技术

§5.2CELT技术用作抛光手段

§5.3对GaAs表面的抛光平整的初步结果

参考文献

附图

作者硕士期间发表与交流的论文

致谢