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第一章 绪论
1.1 SOI互补双极工艺概述
1.1.1 互补双极工艺的优势
1.1.2 互补双极工艺的产业应用
1.1.3 SOI技术简介
1.1.4 SOI互补双极工艺研究现状及存在的问题
1.2 本课题的研究意义
1.3 本论文的主要工作
第二章 SOI双极器件设计的理论分析
2.1 双极晶体管的关键参数分析
2.1.1 提高特征频率的措施
2.1.2 共发射极电流放大系数的影响因素
2.1.3 厄利电压的设计考虑
2.1.4 击穿电压的设计考虑
2.2 SOI全介质隔离引入的问题
2.3 本章小结
第三章 器件及工艺流程的设计与仿真
3.1 器件设计
3.1.1 器件结构
3.1.2 电学参数
3.2 工艺流程设计
3.3 仿真结果
3.3.1 工艺流程仿真
3.3.2 器件电学参数仿真
3.4 本章小结
第四章 版图设计
4.1 光刻层次定义
4.2 器件版图设计
4.3 测试版图设计
4.4 本章小结
第五章 测试结果与分析
5.1 测试平台
5.21.97μm外延层厚度的硅片测试结果
5.30.88μm外延层厚度的硅片测试结果
5.4 实验结果分析
第六章 总结及展望
6.1 总结
6.2 展望
致谢
参考文献
附录