STMicroelectronics, 850, rue J. Monnet, 38926 Crolles, France;
机译:Trigate和Omega-Gate纳米线FET减小至10nm宽度的应变诱导性能增强
机译:应变和非应变SOI三栅极和Ω栅极硅纳米线MOSFET中载流子传输的研究
机译:具有低至13nm栅极长度的嵌入式SiGe源极漏极的P-FET Omega-Gate SoI纳米线的增强性能
机译:应变诱导的三栅极和ω门纳米线FET的性能增强缩小到10nm宽度
机译:在纳米级增强模式三栅极III-V MOSFET中建模量子和库仑效应
机译:用于研究纳米线FET的性能和可变性的多方法仿真工具箱
机译:用Al2O3 / HFO2对IN0.53GA0.47AS三栅极金属氧化物 - 半导体 - 效应 - 晶体管对低功率逻辑应用的影响等效氧化物厚度和翅片宽度缩放的影响